三星今天证实，三星正在将其DRAM和 NAND 闪存芯片的存储密度提高到“极限水平”，距离即将举行的2023 年三星存储技术日活动还有三天。
众所周知，三星一直在开发提高 SSD 内存密度和存储容量的解决方案。今年早些时候，该公司在中国闪存市场峰会上探讨了 NAND 的未来，透露了其开发 SSD 的长期计划，该 SSD 可能具有 1 PB 的存储容量，即 1024 TB / 100 万千兆字节 (GB)。
今天，随着硅谷 2023 年三星内存技术日的临近，三星电子内存业务总裁 Jung-Bae Lee(通过KED Global)证实，该公司正在寻找实现容量高达 1TB 的 DRAM 模块的方法。这些 1TB 模块将使 1PB SSD 更接近实现。
三星预计将在 10 月 20 日举行的 2023 年三星内存技术日上展示其最新的内存半导体技术。该活动将在硅谷举行。
在此次活动前，Jung-Bae Lee 表示：“目前正在开发的 11 纳米 DRAM 将实现业界最高水平的存储密度。”
目前最高密度的DRAM芯片有512GB。该解决方案由三星于 2021 年开发。该公司目前的目标是将容量增加一倍，达到 1TB，并且通过新的封装技术和更小的芯片，存储解决方案应该能够实现更大的容量。
“我们正在开发可在双栈结构中实现的第 9 代V-NAND的最高层，”内存业务总裁证实。
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