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1、PNP晶体管是另一种类型晶体管。
2、它的工作原理和NPN晶体管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。
3、PNP晶体管的发射结要正偏，基区的电压要比发射区的电压要低，而集电极要使多数载流子空穴通过，集电区的电压要比基区的要低。
4、这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。
5、在双极模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入PNP结构的晶体管。
6、如横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。
7、它的制作可与普通的 NPN管同时进行，不需附加工序。
8、在横向PNP管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 PNP管。
9、纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。
10、N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。
11、由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。
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